Фет кет: Кафе-пиццерия FatCat. Пицца и осетинские пироги. Доставка пиццы в г. Волжский. +7 960 883 34 22

Работа в компании Фэт Кэт в Москве, вакансии Фэт Кэт на Superjob

Клиент SuperJob с 2017 года

Поделиться

До 50 сотрудников

В компании нет открытых вакансий


Описание

Вакансии


Ресторан.

Заявите о желании работать в компании

Сайт и соцсети

fatcatcafe.ru

Все компании / Гостиницы, Общественное питание, Туризм / Общественное питание (ресторан, кафе, бар, столовая)

Подпишитесь на вакансии компанииКак только в компании появятся вакансии, мы пришлем вам письмо на почту

Похожие компании


АЙЭФСИЭМ ГРУПП

8488 вакансий

TacoLand

13 вакансий

DOSTAЕВСКИЙ

82 вакансии

Подходящие вакансии


  • Сегодня в 23:23

    Менеджер по продажам

    от 50 000 ₽/месяц

    Добавить в избранное

    Триест

    Москва

    Поиск клиентов из сферы HoReCa(кофейни, рестораны). Сопровождение клиентов. Создание отгрузочных документов. Работа в поле…
    Опыт работы в продажах от года ОБЯЗАТЕЛЕН

    Смотрят

    37

     

    человек

    Скрыть

  • Сегодня в 20:08

    Пекарь

    35 000 — 50 000 ₽/месяц

    Добавить в избранное

    ЩИПАЧИХА

    Суздаль

    Выпечка хлеба. Изготовление мучных кулинарных и кондитерских изделий
    Медицинская книжка

    Скрыть

  • Сегодня в 19:51

    Повар в столовую

    от 70 000 ₽/вахта 30 дней

    Добавить в избранное

    Главная линия

    Ярославль

    Приготовление пищи в столовой согласно утвержденным технологическим картам. Участие в составлении меню на каждый день. Поддержание…
    Профильное образование. Наличие медицинской книжки или готовность ее оформить

    Смотрят

    1

     

    человек

    Скрыть

  • Сегодня в 18:36

    Банкетный менеджер

    от 60 000 ₽/месяц

    Добавить в избранное

    Ресторанная группа Norbert

    Санкт-Петербург

    Поиск и привлечение гостей, расширение базы, развитие существующей базы гостей и наращивание собственной. Проведение телефонных…
    Успешный опыт работы банкетным менеджером от 3х лет. Высокий уровень ответственности и самоорганизации. Мотивация на результат

    Смотрят

    2

     

    человека

    Скрыть

  • Сегодня в 18:20

    Работник ночной смены предприятия «Вкусно-и точка»

    56 000 ₽/месяц

    Добавить в избранное

    Вкусно — и точка

    Москва

    Будьте первым

    Выполнять все процедуры по мытью и дезинфекции кухонного оборудования, обеспечивать его исправность. Осуществлять уборку…

    Скрыть

  • Сегодня в 18:11

    Старший повар (м. Дыбенко)

    от 51 000 ₽/месяц

    Добавить в избранное

    Обедов

    Санкт-Петербург

    Улица Дыбенко

     и ещё 4 станции

    Отклик без резюме

    Организация технологического процесса в столовой. Подача заявок для производства согласно графику. Учёт расхода продукции на ТП
    Опыт работы на аналогичной должности на предприятиях общественного питания (кафе, столовая). Наличие санитарной книжки, помощь…

    Смотрят

    3

     

    человека

    Скрыть

  • Сегодня в 18:07

    Управляющий

    до 60 000 ₽/месяц

    Добавить в избранное

    КСП КРАСНОСЕЛЬСКОГО РАЙОНА

    Пушкин

    Будьте первым

    Контроль работы пищеблоков. Контроль технологического процесса приготовления пищи в соответствии с нормативами СаНПиН. Контроль…
    Опыт работы от 1 года в сфере общественного питания. Наличие автомобиля

    Скрыть

  • Сегодня в 18:02

    Вокалист (ка)

    1900 ₽/день

    Добавить в избранное

    Ресторан «Тройка»

    Санкт-Петербург

    3 минутыЗвенигородская

    8 минутПушкинская

    Доступно студентам

    Участие в постановках шоу. Посещение репетиций. Работа над репертуаром
    Умение двигаться на сцене, танцевать. Образование: по вокалу (желательно). Опыт аналогичной работы приветствуется и будет…

    Смотрят

    3

     

    человека

    Скрыть

  • Сегодня в 17:57

    Повар выходного дня (в корпоративную столовую)

    от 20 000 ₽/месяц

    Добавить в избранное

    Аквапарк «Карибия»

    Москва

    Перово

    Будьте первым

    Приготовление блюд в соответствии с меню и технологическими картами: 3 первых блюд, 3 гарнира, горячие доготовки. Соблюдение…
    Среднее специальное профильное образование или достаточный опыт работы по специальности. Опыт работы в должности повара не…

    Смотрят

    2

     

    человека

    Скрыть

  • Сегодня в 17:46

    Продавец-кассир (ул. Лизюкова, 38г)

    28 000 — 35 000 ₽/месяц

    Добавить в избранное

    Группа компаний «Русский Аппетит»

    Воронеж

    Доступно студентам

    Обслуживание покупателей. Работа на кассе. Разогрев и сбор заказа. Прием и выкладка продукции. Поддержание рабочего места…
    Желание зарабатывать и развиваться вместе с нашей командой. Приветствуется опыт работы в сетях. Работать в ГК «Русский Аппетит…

    Смотрят

    1

     

    человек

    Скрыть

  • Сегодня в 17:22

    Приемщик-сортировщик (на фабрику-кухню FUGU)

    52 000 — 60 000 ₽/месяц

    Добавить в избранное

    Фугу Москоу

    Москва

    Братиславская

     и ещё 9 станций

    Опыт не нужен

    Приемка входящей продукции: разгрузка, проверка качества, сортировка по местам хранения. Сортировка и передача готовой продукции…
    Опыт не требуется (Обучаем с нуля). Знание русского языка на уровне: родного или продвинутого. Исполнительность. Чистоплотность…

    Скрыть

  • Сегодня в 17:14

    Водитель-курьер

    45 000 — 70 000 ₽/месяц

    Добавить в избранное

    Опыт не нужен

    Доступно студентам

    Доставка готовых заказов клиентам
    Наличие личного автомобиля. Ответственность. Пунктуальность. Вежливость

    Смотрят

    43

     

    человека

    Скрыть

  • Сегодня в 17:13

    Инспектор контрольно-ревизионного отдела / Ревизор

    до 72 450 ₽/месяц

    Добавить в избранное

    DOSTAЕВСКИЙ

    Москва

    Проводить выездные проверки на пищевых производствах компании (фабрики-кухни). Осуществлять контроль качества выпускаемой…
    Опыт проведения инвентаризаций и ревизий. Знание «1С Предприятие», MS Office. Опыт работы с приходными накладными документами…

    Смотрят

    1

     

    человек

    Скрыть

  • Сегодня в 17:02

    Электрик / Специалист по электрооборудованию

    от 65 000 ₽/месяц

    Добавить в избранное

    РК-Сервис

    Москва

    Будьте первым

    Проведение регулярных осмотров эксплуатируемого монтируемого электрооборудования. Выявление неисправностей , поломок и их…
    Знание основ электромонтажа. Четкое понимание принципов действия-работы , ремонта эксплуатируемого электрооборудования. Профильное…

    Скрыть

  • Сегодня в 17:02

    Мойщик посуды

    от 23 000 ₽/месяц

    Добавить в избранное

    Мытищи

    Опыт не нужен

    Будьте первым

    Мойка посуды в школьной столовой. Поддержание чистоты и порядка. Помощь на кухне (по необходимости)
    Наличие мед. книжки (либо готовность сделать). Чистоплотность. Ответственность. Аккуратность

    Смотрят

    3

     

    человека

    Скрыть

  • Мы используем cookies, чтобы улучшить сайт для вас. Подробнее

    Суші та піца у Луцьку. Доставка у ресторані Fat Cat

  • Берлін

    Склад:

    склад: гострий соус, моцарела, бекон, салямі, мисливські ковбаски, цибуля, перець чилі.

    вага: 30 см – 500 г., 40 см – 910 г.

    158.00 грн. – 223.00 грн.

    Оберіть опції

  • Гавайська

    Склад:

    склад: вершковий соус, сир, шинка, куряча грудинка, солодкий перець, ананаси, маслини.

    вага: 30 см – 530 г., 40 см – 940 г.

     

    207.00 грн. – 330.00 грн.

    Оберіть опції

  • Карбонара

    Склад:

    склад: вершковий соус, твердий сир, моцарела, бекон, шинка, пармезан, помідори, яйце.

    вага: 30 см – 500 г., 40 см – 860 г.

    200.00 грн. – 299.00 грн.

    Оберіть опції

  • Квадро формаджі

    Склад:

    склад: вершковий соус, сир дор блю, моцарела, пармезан, сир твердий, помідори.

    вага: 30 см – 470 г. 40 см – 750 г.

    202.00 грн. – 285.00 грн.

    Оберіть опції

  • Крудо

    Склад:

    склад: салямі, кетчуп, цибуля маринована, печериці, сир моцарела.

    вага – 500 г.

    розмір – 30 см.

     

    125.00 грн.

    Замовити

  • Маргарита

    Склад:

    склад: томатний соус, сир моцарела, помідори.

    вага: 30 см – 430 г., 40 см – 680 г.

    90.00 грн. – 147.00 грн.

    Оберіть опції

  • Міт Бум

    Склад:

    склад: томатний соус, моцарела, мисливські ковбаски, шинка, бекон, салямі, курка, огірки, печериці, помідори.

    вага: 30 см – 610 г., 40 см – 1000 г.

    210.00 грн. – 294.00 грн.

    Оберіть опції

  • Ніжна

    Склад:

    склад: вершковий соус, сир твердий, моцарела, курка, салямі, кукурудза, рукола, томатні чері, з сирним бортиком та кунжутом.

    вага: 30 см – 570 г., 40 см – 1000 г.

    208.00 грн. – 394.00 грн.

    Оберіть опції

  • Ніцца

    Склад:

    склад: томатний соус, моцарела, шинка, салямі, печериці, маслини, помідори.

    вага: 30 см – 530 г., 40 см – 900 г.

    149.00 грн. – 230.00 грн.

    Оберіть опції

  • Панчета

    Склад:

    склад: вершковий соус, моцарела, пармезан, копчена грудинка, цибуля маринована.

    вага: 30 см – 500 г., 40 см – 830 г.

    163.00 грн. – 250.00 грн.

    Оберіть опції

  • Польська

    Склад:

    склад: ковбаса польська, кетчуп, орегано, помідори, кукурдза, часник, сир моцарела.

    вага – 500 г.

    розмір – 30 см.

    125. 00 грн.

    Замовити

  • Сирний Том

    Склад:

    склад: вершковий соус, сир дор блю, моцарела, пармезан, салямі, помідори.

    вага: 30 см – 500 г., 40 см – 880 г.

    175.00 грн. – 254.00 грн.

    Оберіть опції

  • Цезар

    Склад:

    склад: Соус вершковий, куряче філе аросто, айсберг, бекон, сир моцарела, пармезан та крутони.

    вага: 30 см – 600 г., 40 см – 900 г.

    205.00 грн. – 300.00 грн.

    Оберіть опції

  • Полевой транзистор

    » Electronics Notes

    Полевой транзистор (FET) представляет собой активное устройство с тремя выводами, использующее электрическое поле для управления протеканием тока, и имеет высокое входное сопротивление, что полезно во многих цепях.


    Полевые транзисторы, полевые транзисторы Включает:
    Основные сведения о полевых транзисторах
    Технические характеристики полевого транзистора
    JFET
    МОП-транзистор
    МОП-транзистор с двойным затвором
    Мощный МОП-транзистор
    MESFET / GaAs полевой транзистор
    ХЕМТ И ФЕМТ
    Технология FinFET
    БТИЗ
    Карбид кремния, SiC MOSFET
    GaN FET / HEMT


    Полевой транзистор (FET) является ключевым электронным компонентом, используемым во многих областях электронной промышленности.

    Полевой транзистор, используемый во многих схемах, построенных из дискретных электронных компонентов в областях от радиочастотных технологий до управления мощностью и электронного переключения до общего усиления.

    Однако в основном полевые транзисторы FET используются в интегральных схемах. В этом приложении схемы на полевых транзисторах потребляют гораздо меньше энергии, чем ИС, использующие технологию биполярных транзисторов. Это позволяет работать очень большим интегральным схемам. Если бы использовалась биполярная технология, потребляемая мощность была бы на несколько порядков выше, а генерируемая мощность была бы слишком велика, чтобы рассеиваться на интегральной схеме.

    Помимо использования в интегральных схемах, дискретные версии этих полупроводниковых устройств доступны как в виде электронных компонентов с выводами, так и в виде устройств для поверхностного монтажа.

    Типовые полевые транзисторы

    Полевой транзистор, история FET

    До того, как первые полевые транзисторы были представлены на рынке электронных компонентов, концепция этих полупроводниковых устройств была известна в течение ряда лет. Было много трудностей при реализации этого типа устройства и обеспечении его работы.

    Некоторые из ранних концепций полевого транзистора были изложены в статье Лилиенфилда в 1926 г. и в другой статье Хейла в 1935 г.

    Следующий фундамент был заложен в 1940-х годах в Bell Laboratories, где была создана исследовательская группа по полупроводникам. Эта группа исследовала ряд областей, относящихся к полупроводникам и полупроводниковой технологии, одной из которых было устройство, которое могло бы модулировать ток, протекающий в полупроводниковом канале, путем размещения электрического поля рядом с ним.

    Во время этих ранних экспериментов исследователи не смогли заставить идею работать, превратив свои идеи в другую идею и, в конечном итоге, изобрели другую форму компонента полупроводниковой электроники: биполярный транзистор.

    После этого большая часть исследований полупроводников была сосредоточена на улучшении биполярного транзистора, и идея полевого транзистора какое-то время не исследовалась полностью. В настоящее время полевые транзисторы очень широко используются, обеспечивая основной активный элемент во многих интегральных схемах. Без этих электронных компонентов технология электроники сильно отличалась бы от того, чем она является сейчас.

    Заметка об изобретении и истории полевого транзистора:

    На разработку полевого транзистора ушло много лет. Первые идеи концепции появились в 1928 году, но только в 1960-х годах они стали широко доступны.

    Подробнее об изобретении и истории полевого транзистора

    Полевой транзистор – основы

    Концепция полевого транзистора основана на концепции, согласно которой заряд на близлежащем объекте может притягивать заряды внутри полупроводникового канала. По сути, он работает с использованием эффекта электрического поля — отсюда и название.

    Полевой транзистор состоит из полупроводникового канала с электродами на обоих концах, которые называются стоком и истоком.

    Управляющий электрод, называемый затвором, расположен в непосредственной близости от канала, чтобы его электрический заряд мог воздействовать на канал.

    Таким образом, затвор полевого транзистора управляет потоком носителей (электронов или дырок), протекающим от истока к стоку. Он делает это, контролируя размер и форму проводящего канала.

    Полупроводниковый канал, по которому протекает ток, может быть P-типа или N-типа. Это приводит к двум типам или категориям полевых транзисторов, известных как P-канальные и N-канальные полевые транзисторы.

    В дополнение к этому есть еще две категории. Увеличение напряжения на затворе может либо истощить, либо увеличить количество носителей заряда, доступных в канале. В результате существуют полевые транзисторы с режимом улучшения и полевые транзисторы с режимом истощения.

    Символ цепи соединительного полевого транзистора

    Поскольку только электрическое поле управляет током, протекающим в канале, говорят, что устройство работает от напряжения и имеет высокое входное сопротивление, обычно много МОм. Это может быть явным преимуществом по сравнению с биполярным транзистором, который работает от тока и имеет гораздо более низкий входной импеданс.

    Переходной полевой транзистор, JFET, работающий ниже насыщения

    Схемы FET

    Полевые транзисторы широко используются во всех формах электронных схем, от тех, которые используются в схемах с дискретными электронными компонентами, до тех, которые используются в интегральных схемах.

    Примечание по конструкции схемы полевого транзистора:

    Полевые транзисторы можно использовать во многих типах схем, хотя существуют три основные конфигурации: общий исток, общий сток (истоковый повторитель) и общий затвор. Сама конструкция схемы довольно проста и может быть выполнена довольно легко.

    Подробнее о Схема полевого транзистора

    Поскольку полевой транзистор представляет собой полупроводниковое устройство, работающее от напряжения, а не токовое устройство, такое как биполярный транзистор, это означает, что некоторые аспекты схемы сильно отличаются: в частности, схемы смещения. Однако разработка электронных схем с полевыми транзисторами относительно проста — она ​​немного отличается от схемы с использованием биполярных транзисторов.

    Используя полевые транзисторы, можно спроектировать такие схемы, как усилители напряжения, буферы или повторители тока, генераторы, фильтры и многое другое, а конструкции схем очень похожи на схемы для биполярных транзисторов и даже термоэмиссионных ламп / вакуумных ламп, хотя схемы смещения разные. Интересно, что клапаны/трубки также являются устройствами, работающими от напряжения, и поэтому их схемы очень похожи, даже с точки зрения устройств смещения.

    Тип полевого транзистора

    Существует множество способов определения различных типов доступных полевых транзисторов. Различные типы означают, что при проектировании электронной схемы можно выбрать правильный электронный компонент для схемы. Выбрав правильное устройство, можно получить наилучшие характеристики для данной схемы.

    Полевые транзисторы

    можно разделить на несколько категорий, но некоторые из основных типов полевых транзисторов можно охватить на древовидной диаграмме ниже.

    Типы полевых транзисторов

    На рынке существует множество различных типов полевых транзисторов, для которых существуют разные названия. Некоторые из основных категорий задерживаются ниже.

    • Соединение FET, JFET:   Соединение FET или JFET использует диодный переход с обратным смещением для обеспечения соединения затвора. Структура состоит из полупроводникового канала, который может быть как N-типа, так и P-типа. Затем на канал встраивается полупроводниковый диод таким образом, что напряжение на диоде влияет на канал полевого транзистора.

      Во время работы он имеет обратное смещение, и это означает, что он эффективно изолирован от канала — между ними может протекать только обратный ток диода. JFET — это самый простой тип FET, который был разработан первым. Однако он по-прежнему обеспечивает отличный сервис во многих областях электроники.

      Подробнее о . . . . переходной полевой транзистор, JFET.

    • Изолированный затвор FET/МОП-транзистор кремния FET окиси металла:   В MOSFET используется изолированный слой между затвором и каналом. Обычно это формируется из слоя оксида полупроводника.

      Название IGFET относится к любому типу полевого транзистора с изолированным затвором. Наиболее распространенной формой IGFET является кремниевый MOSFET — полевой транзистор на основе оксида металла и кремния. Здесь затвор сделан из слоя металла, нанесенного на оксид кремния, который, в свою очередь, находится на кремниевом канале. МОП-транзисторы широко используются во многих областях электроники, особенно в интегральных схемах.

      Ключевым фактором IGFET / MOSFET является чрезвычайно высокий импеданс затвора, который эти полевые транзисторы могут обеспечить. Тем не менее, будет связанная емкость, и это уменьшит входное сопротивление при повышении частоты.

      Подробнее о . . . . Полевой транзистор на основе оксида металла, полевой МОП-транзистор.

    • МОП-транзистор с двумя затворами:   Это особая форма МОП-транзистора с двумя затворами, последовательно расположенными вдоль канала. Это позволяет значительно улучшить производительность, особенно в радиочастотном диапазоне, по сравнению с устройствами с одним затвором.

      Второй затвор МОП-транзистора обеспечивает дополнительную изоляцию между входом и выходом, и в дополнение к этому его можно использовать в таких приложениях, как микширование/умножение.

      Подробнее о . . . . МОП-транзистор с двойным затвором.

    • MESFET:  Металл-кремниевый полевой транзистор обычно изготавливается с использованием арсенида галлия и часто называется GaAs FET. Часто полевые транзисторы GaAs используются для радиочастотных приложений, где они могут обеспечить высокий коэффициент усиления и низкий уровень шума. Одним из недостатков технологии GaAsFET является очень маленькая структура затвора, что делает ее очень чувствительной к повреждениям от статического электричества, электростатического разряда. При обращении с этими устройствами необходимо соблюдать большую осторожность.

      Подробнее о . . . . MESFET / GaAsFET.

    • HEMT / PHEMT:   Транзистор с высокой подвижностью электронов и псевдоморфный транзистор с высокой подвижностью электронов являются развитием базовой концепции FET, но разработаны для работы на очень высоких частотах. Несмотря на свою дороговизну, они позволяют достичь очень высоких частот и высокого уровня производительности.

      Подробнее о . . . . ГЕМТ / ФЕМТ.

    • FinFET:   В настоящее время технология FinFET используется в интегральных схемах, чтобы обеспечить более высокий уровень интеграции за счет уменьшения размеров элементов. Поскольку требуются более высокие уровни плотности и становится все труднее реализовать все более мелкие размеры элементов, технология FinFET используется все шире.

      Подробнее о . . . . ФинФЕТ.

    • VMOS:  Стандарт VMOS для вертикального MOS. Это тип полевого транзистора, в котором используется вертикальный поток тока для улучшения характеристик переключения и переноса тока. Полевые транзисторы VMOS широко используются в силовых приложениях.

    Хотя в литературе можно встретить и другие типы полевых транзисторов, часто эти типы являются торговыми названиями определенной технологии и являются вариантами некоторых типов полевых транзисторов, перечисленных выше.

    Технические характеристики полевого транзистора

    Помимо выбора определенного типа полевого транзистора для любой схемы, также необходимо понимать различные технические характеристики. Таким образом можно гарантировать, что полевой транзистор будет работать с требуемыми рабочими параметрами.

    Технические характеристики полевого транзистора

    включают в себя все, от максимально допустимых напряжений и токов до уровней емкости и крутизны. Все они играют роль в определении того, подходит ли какой-либо конкретный полевой транзистор для данной схемы или приложения.

    Подробнее о . . . . Спецификации FET и параметры таблицы данных.

    Технология полевых транзисторов может использоваться в ряде областей, где биполярные транзисторы не подходят: каждое из этих полупроводниковых устройств имеет свои преимущества и недостатки и может быть использовано во многих схемах с большим успехом. Полевой транзистор имеет очень высокий входной импеданс и является устройством, управляемым напряжением, что позволяет использовать его во многих областях.

    Другие электронные компоненты:
    Батарейки
    конденсаторы
    Соединители
    Диоды
    полевой транзистор
    Индукторы
    Типы памяти
    Фототранзистор
    Кристаллы кварца
    Реле
    Резисторы
    ВЧ-разъемы
    Переключатели
    Технология поверхностного монтажа
    Тиристор
    Трансформеры
    Транзистор
    Клапаны/трубки

        Вернуться в меню «Компоненты». . .

    Фет против Кета | разница

    Fet


    Определение:

    • (n. ) Шт.
    • (ст. т.) Принести.
    • (стр. стр.) Получено.
    • (п.п.) Фетте

    Примеры предложений:

    • (1) Система под названием PRONG (Parallel Recording Of Neural Groups) включает в себя микроэлектрод, легкий разъем многократного использования, 24-канальный FET-гибридный предусилитель, 3-полосный 24-канальный усилитель. , 24-канальный спайковый монитор, высокоскоростные цифровые и аналоговые интерфейсы и компьютер.
    • (2) Через 40 минут после начала терапии средний клиренс, выраженный в процентах от количества радиоактивности, присутствующей в начале терапии, составил 32% после ПКП, 53% после ФЭТ и 15% в контрольном цикле.
    • (3) В этой статье особое внимание уделяется емкостным измерениям с помощью систем ЭИС, а также измерениям импеданса и потенциала с помощью устройств на полевых транзисторах.
    • (4) Электрод подключали через головной повторитель сигналов на полевых транзисторах к широкополосному усилителю на интегральной схеме, а активность блока регистрировали на другом канале магнитофона.
    • (5) Приведены раздельные постные, раздельные фетровые и общие съедобные части отрубов говядины отборного сорта, а также столовые кислоты на 100 г.
    • (6) Больным выполнено: 1) постуральный дренаж с упражнениями на расширение грудной клетки + техника форсированного выдоха (ФТ) в положении лежа на левом боку; 2) положительное давление выдоха (PEP) — масочное дыхание + FET; 3) физические упражнения на велоэргометре + ФЭТ.
    • (7) Гибридная конструкция электрода позволяет встроить усилитель истокового повторителя на полевых транзисторах непосредственно рядом с pH-мембраной, что значительно сокращает время отклика и уровень шума.
    • (8) Перенос энергии флуоресценции (FET) между донором (флуоресцеин.PFO или PFOD) и акцептором (тетраметилродамин.PFO или PFOA) определяли как по тушению флуоресценции донора (520 нм), так и по усилению флуоресценции акцептора (575 нм). нм) при агрегации меченых молекул цитолизина.
    • (9) Выделение мокроты во время ПКП и ФЭТ было больше, чем за аналогичный период времени в контрольном цикле.
    • (10) В текущей работе оценивается полезность FET для измерения расстояний в дуплексных и разветвленных молекулах ДНК.
    • (11) Исследования поляризации флуоресценции и переноса энергии (FET) с использованием специфических флуоресцентных индикаторов в сочетании с данными кристаллографических, иммунологических и химических модификаций позволили получить структурную модель Ca2(+)-АТФазы, в которой сайты связывания Ca2+ и АТФ предварительно идентифицированы.
    • (12) Все процедуры имели одинаковую продолжительность, и FET был стандартизирован.
    • (13) FET не наблюдался, когда ПФОК и ПФОК инкубировали в растворе без мембран или когда ПФОК заменяли немеченым токсином.
    • (14) Хроматография кондиционированных сред трех из этих клеточных линий (HCT 116, MOSER, FET) на Bio-Gel P-30 показала различия в молекулярных массах секретируемого TGF-альфа.
    • (15) Влияние анестезии алтезином отдельно и в сочетании с хирургическим вмешательством на углеводный и внутриутробный обмен изучалось у 36 пациентов путем определения концентрации в плазме кортизола, человеческого гормона роста, инсулина, свободных жирных кислот и сахара в крови.
    • (16) вызывал замедление дыхательного ритма за счет увеличения продолжительности выдоха и повышения порога FET,CO2 для генерации ритма.
    • (17) «Funktionseinstimmungtraining—FET» (функциональная адаптационная тренировка) включает упражнения, направленные на перестройку вербальной коммуникации, улучшение способности к концентрации, бдительности, умственных способностей в течение более длительного периода времени и памяти.
    • (18) Мы оценили 8-Cl-цАМФ и 8-Cl-аденозин на предмет их ингибирующей рост активности в отношении двух клеточных линий аденокарциномы толстой кишки человека, HCT116 и FET.
    • (19) Для клеточных линий MOSER и FET 20-30% ТФР-подобной активности имели молекулярную массу более 15000.
    • (20) У основания электрода провода продеты через гибкую пластиковую трубку, обеспечивающую разгрузку от натяжения, и приклеены к отдельным контактам миниатюрного разъема, который подключается к повторителю напряжения на полевом транзисторе (FET).

    Кет


    Определение:

    • (сущ.) Падаль; любую грязь.

    Примеры предложений:

    • (1) В остальном была обнаружена положительная связь между антигипертензивным эффектом Кет и BPV.
    • (2) Кроме того, гипертрофия правого желудочка, вызванная MCTP, не ослаблялась KET.
    • (3) Влияние кетансерина (КЕТ), специфического блокатора 5-гидрокситриптаминовых2 (5-НТ2) рецепторов, на прессорную реакцию на вазоактивные вещества изучали у крыс с однопочечным однократным стенозом почечной артерии продолжительностью 2 дня. (2-суточные клипированные крысы) и у кроликов со стенозом почечной артерии длительностью 3 дня (3-суточные клипированные кролики).
    • (4) KET сам по себе также индуцировал активацию бета-адренергических рецепторов клеточной поверхности.
    • (5) Предварительное введение Кет, подобно сульпириду (Сульп), антагонисту дофамина, усиливало индуцированную ТРГ секрецию пролактина.
    • (6) Кетансерин (Ket), новый серотонинергический (5-HT2) антагонист, недавно было показано, что он блокирует вызванный эстрогеном дневной всплеск пролактина (Endocrinology 120: 2070-2077, 1987).
    • (7) Горизонтальная проточная змеевиковая планетарная центрифуга, оснащенная вращающейся рамой, удерживающей три набора композитных колонок, использовалась для очистки эндогенного лиганда (ингибитора связывания кетансерина) для распознавания [3H]-кетансерина (3H-KET). сайт.
    • (8) У уток группы КЭТ pHa, PaCO2 и PaO2 после введения препарата не изменились.
    • (9) Комбинация KET + HCTZ в остром исследовании значительно снижала систолическое (САД) и диастолическое (ДАД) артериальное давление на срок до 10 часов.
    • (10) В отсутствие эстрогена морфин ингибировал высвобождение ЛГ, а реакция задерживалась на МЕТГ или отменялась КЕТ, что свидетельствует о посредничестве серотониновых 2 (5НТ2) рецепторов.
    • (11) (группа KET-IV) или интрацеребровентрикулярно (группа KET-IC) вводили 100 мкг кетансерина, 10 мкг CRF внутривенно.
    • (12) Цель этого исследования состояла в том, чтобы определить у 17 пациентов с инсультом корреляцию между двумя независимыми переменными (моментом мышц-разгибателей колена [KET] и спастичностью на паретичной стороне) и одной зависимой переменной (скоростью ходьбы).
    • (13) А теперь довели до ума». Объявление было сделано в тот же день, когда «Кристал Пэлас» подтвердил подписание контракта с Мартином Келли из «Ливерпуля».00 000 переездов из Кардифф Сити и бесплатные трансферы Бреде Хангеланда и Криса Кеттингса, ранее игравших в Фулхэме и Блэкпуле соответственно.
    • (14) Наше исследование показало, что Кет является мощным средством для снижения артериального давления без соответствующих побочных эффектов и без изменения частоты сердечных сокращений.
    • (15) «Я полагаю, дело в том, что нам нравится быть вежливыми, — говорит Джо, — а вы не можете этого делать, когда только что произнесли толстую строчку кет перед собеседованием».
    • (16) Этот подход был применен к микрососудистым сетям, представленным методом оператора Бра-Кета, и точно предсказал количество сегментов сосудов как в древовидных, так и в петлеразветвленных (аркадных) сетях.